- обратно
- Описание на
- Технически данни
- Спецификация на отвора
- Обработка
- Опаковка
- Изтегляне
- Запитване за запаси
hm2.0 долна защитна ламарина, модел B25 Номер на артикула. 244-21600-1
Подобна картина
Правоъгълен
Технология за притискане
- 25 контакта
- Дължина на съединението 3,4 мм
- за дебелина на печатната платка минимум 1,44 мм
- тествано съгласно IEC 61076-4-101
Технически данни
Основи
| Спецификация | IEC 61076-4-101 |
|---|---|
| Ниво на качество | 2 |
| Брой контакти | 25 |
| Технология на свързване | Технология за притискане |
| Дължина на връзката | 3,4 мм |
| Работна температура | от -55 °C до +125 °C |
Материал
| Материал за контакт | Бронз |
|---|
Механичен
| Размер на решетката | 2,0 мм |
|---|---|
| Сила на вмъкване на контакт | Екраниране: макс. 1 N |
| Сила на издърпване на контакт | Екраниране: мин. 0,15 N |
| Срок на експлоатация | > 250 цикъла на включване |
Електрически
| Работен ток | 1,5 А при +20 °C, 1,0 А при +70 °C |
|---|---|
| Съпротивление на контакта | макс. 20 mΩ |
| Изолационна устойчивост | мин. 104 MΩ |
| Изпитвателно напрежение | 750 V (средноквадратична стойност) |
| Предаване на данни | 3,125 Гбит/с |
Одобрения/съответствие
| Околна среда | В съответствие с RoHS |
|---|
Спецификация на отвора
| Material | chem. Sn Schicht |
|---|---|
| Nennloch | Ø 0.6 mm |
| A Leiterplattendicke | мин. 1,44 мм |
| B Endloch | Ø 0.60 ±0.05 mm |
| C Grundbohrung | 0.70 ±0.02 mm |
| D Cu Schicht | min. 25 µm |
| E Oberfläche | max. 1.5 µm; chem. Sn Leiterplatten |
| F Restring | min. 0.1 mm |
| Material | Ni, Au Leiterplatten |
|---|---|
| Nennloch | Ø 0.6 mm |
| A Leiterplattendicke | мин. 1,44 мм |
| B Endloch | Ø 0.60 ±0.05 mm |
| C Grundbohrung | 0.70 ±0.02 mm |
| D Cu Schicht | min. 25 µm |
| E Oberfläche | Ni, Au Schicht, 0.05 - 0.2 µm Au über 2.5 - 5 µm Ni |
| F Restring | min. 0.1 mm |
| Material | rein Cu Leiterplatten |
|---|---|
| Nennloch | Ø 0.6 mm |
| A Leiterplattendicke | мин. 1,44 мм |
| B Endloch | Ø 0.60 ±0.05 mm |
| C Grundbohrung | 0.70 ±0.02 mm |
| D Cu Schicht | min. 25 µm |
| E Oberfläche | OSP*,z.B. GLICOAT-SMD (F2) mit 0.12 - 0.15 µm |
| F Restring | min. 0.1 mm |
| Material | HAL Sn Leiterplatten |
|---|---|
| Nennloch | Ø 0.6 mm |
| A Leiterplattendicke | мин. 1,44 мм |
| B Endloch | Ø 0.60 ±0.05 mm |
| C Grundbohrung | 0.70 ±0.02 mm |
| D Cu Schicht | min. 25 µm |
| E Oberfläche | HAL Sn, 5 - 15 µm |
| F Restring | min. 0.1 mm |
Структурата на слоевете съгласно IEC 60352-5
Обработка
клещи
Einpresswerkzeug für hm2.0 unteres Schirmblech 5 reihig
Artikelnummer 884-740-W2
Опаковка
Тава
24 бр. / тава
25 бройки в кутия